Гость kickstarter Опубликовано 27 Ноября, 2011 в 12:35 Жалоба Поделиться Опубликовано 27 Ноября, 2011 в 12:35 Ну, вот и на нашей улице праздник. Праздник труда. Дожились. Самым слабым звеном в системе оказался усилитель. Встала необходимость замены. На замену были выбраны разработки Нэльсона Пасса _https://www.firstwatt.com/ Усилитель First Watt model F4 The_First_Watt__model_F4.pdf И в качестве преда The First Watt B1. The_First_Watt_B1_Buffer_Preamp.pdf Нашлись выходные транзисторы для First Watt model F4. А вот 2SJ108/2SK370 и 2SK170/LSK170 найти в городе не представляется возможным. Вопрос знатокам: какие могут существовать адекватные замены, или, может, в какой аппаратуре на разборке посмотреть данные запчасти? Заранее благодарен. Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Datagor Опубликовано 27 Ноября, 2011 в 13:11 Жалоба Поделиться Опубликовано 27 Ноября, 2011 в 13:11 Цитата из Нельсона, может немного поможет: All of the transistors are N channel JFETs. The stock parts are 2SK170’s, LSK170’s or 2SK370’s, and you can use substitutes having Idss between than 5 and 10 milli-Amps and transconductance numbers from 5 to 30 milli-Siemens. Т.е. все транзюки - n-канальные JFETы. Для замены выбирайте любые с Idss (ток насыщения стока) = 5...10 миллиампер и крутизной характиристики 5...30 миллисименс (я не совсем понял, что это, Сименс - это единица измерения электрической проводимости, т.е. величина обратная Ому). Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость kickstarter Опубликовано 27 Ноября, 2011 в 13:35 Жалоба Поделиться Опубликовано 27 Ноября, 2011 в 13:35 (изменено) Т.е. все транзюки - n-канальные JFETы. Для замены выбирайте любые с Idss (ток насыщения стока) = 5...10 миллиампер и крутизной характиристики 5...30 миллисименс (я не совсем понял, что это, Сименс - это единица измерения электрической проводимости, т.е. величина обратная Ому). Игорь, это все понятно, но не разбираюсь я в них, нужно мне ткнуть носом. Прямо сказать, какие можно и что из этого выйдет. Еще чего, доброго, может написать, слова, там, напутственные... Изменено 27 Ноября, 2011 в 13:43 пользователем kickstarter Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Datagor Опубликовано 27 Ноября, 2011 в 16:48 Жалоба Поделиться Опубликовано 27 Ноября, 2011 в 16:48 Пока напутствовать не могу, меня самого бы кто просветил, шо там за крутизна с Сименсами. :smile: Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость kickstarter Опубликовано 5 Декабря, 2011 в 16:36 Жалоба Поделиться Опубликовано 5 Декабря, 2011 в 16:36 (изменено) Не выходит цветок каменный, не хотят спецы признаваться, какие транзисторы можно применить. Вот и решено делать то, что не требует дефицитных (для меня) деталей. Однотактник Хьюстона на 2sk1058 и пред Zen preamp на IRF610. Начнем с малого. Изменено 5 Декабря, 2011 в 16:36 пользователем kickstarter Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Гость vmkonoplev Опубликовано 1 Августа, 2012 в 11:51 Жалоба Поделиться Опубликовано 1 Августа, 2012 в 11:51 Не выходит цветок каменный, не хотят спецы признаваться, какие транзисторы можно применить. Вот и решено делать то, что не требует дефицитных (для меня) деталей. Однотактник Хьюстона на 2sk1058 и пред Zen preamp на IRF610. Начнем с малого. С большим опозданием, но поскольку считаю себя знатоком схемных решений Нельсона Пасса, думаю необходимо отметить, что F4 является буферным (с коэффициентом усиления по напряжению чуть менее единицы) мощником. Также предусилитель В1 является буферным, коэффициент усиления по напряжению регулируется от нуля до единицы. Поэтому связка В1-F4 никого не может устроить. В качестве рекомендации предложил бы попробовать Зен преамп + фолловер Чиуффолли. Начиная с этой связки, можно далее думать об апгрейдах. Добавлено после раздумий: Пока напутствовать не могу, меня самого бы кто просветил, шо там за крутизна с Сименсами. :smile: Игорь, это вполне обычные параметры. Сопротивление измеряется в Ом-ах (Вольт/Ампер), а проводимостью является величина, обратная сопротивлению, измеряется в Сименсах (Ампер/Вольт). Входная характеристика например jFET транзистора, представляет собой зависимость тока стока (вертикальная ось) от напряжения затвор-исток (горизонтальная ось). Наклон этой характеристики в точке пересечения с вертикальной осью (при напряжении затвор-исток = 0) измеряется в ампер/вольт, т.е. в сименсах, и указывается в даташитах как стандартный параметр. Поскольку крутизна входной характеристики дотягивает до единиц сименсов только у мощных полевиков, в т.ч. у LU1014 из схемы Зен9, у маломощных полевиков она обычно составляет тысячные доли сименса, и указывается в миллисименсах (mS в англоязычных даташитах). Ссылка на комментарий Поделиться на другие сайты Поделиться
Рекомендуемые сообщения
Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь
Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий
Создать учетную запись
Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!
Регистрация нового пользователяВойти
Уже есть аккаунт? Войти в систему.
Войти