Перейти к содержанию

Мощный БП на микросхеме L200


Рекомендуемые сообщения

вопрос по микросхеме L200: какие транзисторы можно использовать вместо T2 указанных на схеме предложенной dimarius83(5-7А на выходе мне, думаю, выше крыши)?

- этот БП расчитан на 40-50 Ампер!

Выходные транзисторы расчитаны на 25 А - каждый!

из доступных можно попробовать 2N3055 или КТ819ГМ в металле,

в качестве Т1 - КТ819Г в пластмассовом корпусе.

Также необходимо ограничить максимальный выходной ток -

установить Rдоп 15к между выводом 5 - l200 и крайним выводом R1.

post-2213-1274561811_thumb.png

при этом максимальный ток БП снизится до 15-20 Ампер.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

прикольно без меня - мою тему создали! молодцы! а по поводу L200 микросхемка очень симпатичная на ней хоть зарядку хоть блок питания ЛЮБОЙ можно сделать!

post-3980-1274783936_thumb.png

post-3980-1274783946_thumb.png

post-3980-1274783956_thumb.gif

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

  • 4 года спустя...
А вместо трех выходных транзисторов можно использовать один, т.к. мне такой большой ток не нужен?

Не током единым. Полупроводники всегда гибнут от теплового пробоя. Приводят к нему разные причины, но конец один.

 

Для понимания, в качестве примера, возьмём усилитель LEM Procon 2200P - 2 х 1100 Ватт на 4 Ома. На выходе 9 пар 2SC5200 + 2SA1943. Каждый способен дать по 15 Ампер, вместе - 135. При этом, амплитуда тока нагрузки всего 23,5 А. Почти в 6 раз меньше! Казалось бы, тут и двух пар много, если судить по току. Но, давайте взглянем на вопрос с другой стороны - максимальная мощность рассеяния выходных транзисторов такого усилителя составит 560 Ватт. Если взять две пары (по критерию тока), получим 140 Ватт на корпус - гарантированно смертельная величина. При 9-ти парах - 31 Ватт на корпус. Намного более разумное значение.

Из опыта - транзистор на хорошем радиаторе или при активном охлаждении способен рассеять не более 1/3 от максимально допустимой по даташиту мощности. Это предел. Дальше уже ничего не спасает. Особенно при длительной нагрузке.

 

В общем, выбирая транзисторы или их количество для того или иного устройства, не забывайте - не током единым. :smile:

 

L200 микросхемка очень симпатичная на ней хоть зарядку хоть блок питания ЛЮБОЙ можно сделать!

Люблю задор и веру в бесконечные возможности!

Надо 350 Вольт на 75 мА для лампового преда. Не подкинете схемку на L200? Простенькую и надёжную! :smile:

А ещё лучше - регулируемый, 50 - 400 Вольт и 100 - 150 мА, для проверки и макетирования ламповых схем.

Изменено пользователем avals
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Кстати, очень давно читал одну статью, про звуковые усилители. Дык там еще говорили про то, что когда на выходе мало транзисторов, включенных в параллель, то появляются специфические искажения, связанные с изменением геометрии кристаллов транзисторов при из нагреве - охлаждении. Причем заметны эти искажения не на временах, много больших периода сигнала, но даже во время каждого периода колебания выходного сигнала. А вот когда рассеиваимая мощность на каждом транзисторе небольшая - тогда и эти специфические искажения соответственно незаметны, т. к. изменения тока через каждый транзистор, при изменении входного сигнала от нуля до максимального амплитудного, не очень велики. Только сейчас понял, что мой пост не совсем в тему. Просто зашла речь про "много транзисторов в параллель". вот и вспомнилась статейка...

Изменено пользователем mtihonov
Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

появляются специфические искажения, связанные с изменением геометрии кристаллов транзисторов при из нагреве - охлаждении

Явление именуется тепловыми искажениями и проявляется даже на одном транзисторе. Для борьбы были созданы транзисторы со встроенным датчиком температуры на кристалле, что позволило отслеживать режим работы выходного каскада при быстрых изменениях уровня сигнала. Практически это диоды, сделанные на том же кристалле что и транзистор.

 

post-7425-1429860138_thumb.png

 

Пример с усилителем, сбивший Вас с толку, привёл просто потому, что там наиболее ярко можно продемонстрировать неправильность выбора числа транзисторов исключительно по одному параметру.

Ссылка на комментарий
Поделиться на другие сайты

Для публикации сообщений создайте учётную запись или авторизуйтесь

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать учетную запись

Зарегистрируйте новую учётную запись в нашем сообществе. Это очень просто!

Регистрация нового пользователя

Войти

Уже есть аккаунт? Войти в систему.

Войти
  • Последние посетители   0 пользователей онлайн

    • Ни одного зарегистрированного пользователя не просматривает данную страницу
×
×
  • Создать...