Hi-Fi усилитель А. Зеленина на N-канальных MOSFET-ах. Усилитель из деталей убитых Back-UPS

[Andre_Green]

Лучше поставить IRF540. Ток покоя 100 мА. В затворы IRF540 вместо 330 Ом поставить 27 Ом. L1 можно убрать, усилитель работает устойчиво и без нее.

[Sanchez14]

Вопрос к Андрею Геннадьевичу. Я уже собрал Грин ланзар, по схеме со статьи, но на форуме увидел вашу первоначальную схему, с двумя парами выходников. На много ли она мощнее ,чем схема из статьи? Хочу установить их в радиотехнику у101, там питание ±31в.

[Yamazaki]

Безусловно, мощности будет достаточно и на одной паре выходников. Прикиньте, допустим, на выходе 100Вт, кпд пусть будет 70%. Тепловыделение будет всего лишь по 20Вт на корпус, что для TO220 нормально. Например для IRF630 максимальная мощность рассеивания по даташиту 74Вт. На самом деле это достижимо только в идеальных условиях, при большом радиаторе и отличном тепловом контакте. В вашем случае мощность упрется в дохленький радиатор радиотехники. С этой точки зрения удваивать количество транзисторов нет смысла.

 

Правда, у полевых транзисторов параллельное соединение увеличивает крутизну передаточной характеристики, ценой увеличения емкости затвора. Тут уже в каждом конкретном случае надо прикидывать, что будет лучше.

[Sanchez14]

Сергей, в том то и дело, что при одной и той же отдаваемой мощности, две пары будут нагреваться меньше, и работать в более разгруженном режиме.

[Yamazaki]

  В 25.05.2016 в 10:39, Sanchez14 сказал:

... две пары будут нагреваться меньше ...

Температура кристалла транзистора будет меньше за счет того, что при фиксированной характеристике теплопередачи (в градусах на ватт) на каждый транзистор будет приходиться меньшая мощность.

Можно просто взять транзюки в корпусах побольше, например в TO3P или TO247, получим тот же самый эффект.

 

Можно прикинуть численно (опять воспользовавшись даташитом на IRF630):

Между корпусом и радиатором примерно 0.5 °С/Вт (идеальный случай, на самом деле побольше), между кристаллом и корпусом 1.7 °С/Вт. В сумме 2.2 °С/Вт. Если уменьшаем выделяемую мощность на каждом транзисторе с 20 до 10 Вт, температура кристалла упадет на 22 градуса. Это если мы пилим синус на максимальной мощности, на реальной музыке средняя мощность значительно меньше. Реально едва ли будет разница градусов 10... Это много или мало? Решайте сами. Максимальная рабочая температура IRFов 175 градусов.

[Andre_Green]

50 Ватт на 8 Ом и 100 Ватт на 4-х омную нагрузку. При 31-ом вольте немного ниже будет... Общая площадь радиаторов на один канал должна быть не менее 1000 квадратных сантиметров.

[Sanchez14]

понял, спасибо за советы, попробую содной парой 640, у них вроде 150 вт максимально рассеиваемая мощность, просто по схеме в статье питание 25в, а по схеме с двумя парами 35в, номиналы не придется менять? вот это меня больше беспокоит

[Andre_Green]

Выставляете ноль, выставляете ток покоя 125 мА, R6 увеличиваете до 150 Ом. В затворы выходных транзисторов резисторы 27 Ом вместо 330. Сыровата схемка, хотя мне понравилась как звучит....

[Allroy]

Доброе утро страна!

Собрал усилитель(еще один, первую ревизию я куда-то дел, найти не смог, и питал его +=18V), питаю ± 40 вольт. Играет, но радостей не приносит. Звучит ужасно. Источник сигнала компьютер, громкость 1/3, 1/2 начинает хрипеть, хотя громкость в колонках я бы не сказал что очень большая. Мне кажется что входной сигнал очень велик, а коэффициент усиления слабоват. Я правильно понимаю, что нужно пересчитать делитель обратной связи R17-R13, увеличив коэффициент усиления, и входной делитель R1-R3 уменьшив чувствительность входа?

На выходе пробовал разные транзисторы, сейчас в одном канале IRF510, в другом BUZ11.

PS

Транзисторы VT5-VT6 конечно на радиаторах)

[Andre_Green]

В приложении схема с доработками и с указанием некоторых режимов работы. Александр обратите внимание резисторы уже пересчитаны под мощность 100 Ватт на 4 Ома (50 Ватт соответственно на 8 Ом). Ток покоя выходных транзисторов 125 (сто двадцать пять) миллиампер.

 

Судя по тому что у Вас VT5 и VT6 без радиаторов они у Вас не в режиме. При правильной настройке они должны изрядно нагреваться, так как ток через них течет порядка 20 mA.

 

Отсюда вытекает, что дифкаскады у Вас работают неправильно.

Выставьте подбором резисторов R2 и R6 указанные токи.

 

Изменена цепочка термостабилизации на IRF510, но изменения не принципиальны, можно оставить как было на прежней схеме.

 

Зачеркнутые элементы можно убрать без вреда для качества работы усилителя.

[mvv]

Андрей, чтобы ток через резистор R2 (R4) был равен 2...2,5 мА, номинал резистора должен лежать в диапазоне R2=(12-0,7)/(2...2,5)=4,7...5,6 кОм, где 12 В - выходное напряжение стабилизатора VD1, R5 (VD2, R6); 0,7 В - напряжение база-эмиттер транзистора VT1 (VT2). С указанным на принципиальной схеме R2=10 кОм ток составит 1,1 мА.

При выбранном напряжении питания +/-40 В усилитель способен отдать в нагрузку мощность порядка 150 Вт (Rн=8 Ом).

Понятно, что нужен хороший БП и потребуется параллелить транзисторы в выходном каскаде.

Коэффициент усиления УМЗЧ равен Ku=1+R17/R13=27,8 (28,9 дБ), что соответствует чувствительности с входа около 1,2В.

[Allroy]

Андрей, VT4-5 с радиаторами, греются прилично. Это фото без них, т.к. радиаторы ну очень не красивые, не хотел портить картинку).

В исходной схеме с портала С5= 220uF. https://datagor.ru/amplifiers/solid-state/2776-usilitel-green-lanzar-na-n-kanalnyh-mosfet.html

Может в этом причина?

 

Сразу еще хочу сказать, мне с него большая мощность не нужна, выбор питания ±40 вольт выбран из-за габаритов корпуса усилителя радиотехника у 7111(уже ко мне поступил мертвый, и раздербаненный внутри :smile: ), корпус довольно узкий, и не нашлось подходящего трансформатора. Оставил родной трансформатор, без переделок.

 

 

////

Первым делом заменил С5, звук не изменился. Тогда решил попробовать другой источник, усилитель запел!!!

Но все равно слабовато играет, колонки еле раскачивает. Хотя мне больше и не надо, но все равно должно быть погромче.

Изменено 25 Июля, 2016 в 13:50 пользователем Allroy